공정으로 나누어진다. 또한 NIL 기술은 그 방법에 따라 Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
2. Thermal-NIL(NanoImprint Lithography)
Thermal-NIL 기술은 고온 고압의 환경에서 열에 변형이 되는 폴리머 레진에 나노 크기의 형상이 새겨진
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
, 입자 크기, 입자 모양 및 온도에 따라 기존 자기기록 미디어의 저장 밀도의 한계를 넘어 새로운 데이터 저장용 소자로의 적용이 가능할 것으로 판단된다. 또한, 이미 언급한 용도 이외에 최근에는 특수 물질을 분리하기 위하여 분자 날인 고분자 입자(molecular imprinted polymer microampere) 제조, 이온 응답
1. 개요 : 개요와 목적
최근의 다양한 스마트 기기의 발전과 더불어 화면표시 기술, 즉 디스플레이 테크놀러지가 각광 받고 있다. 이는 디스플레이 기술이 단순히 고객에게 보여주는 시각적인 부분이 뿐 아니라, 기기 자체의 성능(화질, 응답속도, 배터리 소모량 등)과 제품 단가(생산 공정단가 등)를
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
나노 기술과 바이오 기술 등은 새로운 형태의 3차원 구조, 평탄하지 않은 기판, 깨지지 쉬운 기판 사용 등을 필요로 하여 기존의 광 투사 리소그래피 기술만으로는 해결하기 힘들다. 따라서 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 여러가지 형태의 리소그래피 기술들이 제안되어 연구되고 있다.
이 보고
화학적 결합을 통하여 기판에 self-assembly 하는 기술이 Mirkin 박사에 의해 1999년에 발표되었는데 이것이 Dip-Pen Lithography 기술이다. 그는 DPN 기술을 이용하여 단분자막을 나노 차원에서 패턴닝한 결과를 발표하였다.[1]
1) DPN의 기본 원리
Dip-Pen Nanolithography (DPN) 기술은 분자를 기판 위에 이전하여 나노 단
나노바이오기술, 2002.12.
나노기술의 발달에 따라 신조어들도 많이 생겨나고 있다. 나노물질, 나노구조, 나노구조물질, 나노임프린트, 나노바이오기술, 나노물리학, 나노화학 등이 그 예이다. ‘nanomaterials, nanostructures, nanostructured materials, nanoimprint, nanobiotechnology, nanophysics, nanochemistry, radical nanotechnology,
나노 기술의 실현 가능성이 얘기된 것은 그리 오래 되지 않았다. 노벨상 수상자인 파인만은 1959년 원자 크기도 인간이 조절할 수 있다고 주장했다. 당시만 해도 터무니 없었던 그 주장은 1981년 과학자들이 키세논 원자를 배열하여 원자 크기의 IBM이라는 글씨를 새겨 넣는데 성공함으로써 원자 세계를 제